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2N6130

更新时间: 2024-11-28 05:55:59
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锦美电子 - JMNIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2N6130 数据手册

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Product Specification  
www.jmnic.com  
Silicon NPN Power Transistors  
2N6129 2N6130 2N6131  
DESCRIPTION  
·With TO-220 package  
·High power dissipation  
·Complement to PNP type :  
2N6132 2N6133 2N6134  
APPLICATIONS  
·Power amplifier and medium speed  
switching applications  
PINNING  
PIN  
DESCRIPTION  
1
Base  
Collector;connected to  
mounting base  
2
3
Emitter  
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VALUE  
UNIT  
2N6129  
2N6130  
2N6131  
2N6129  
2N6130  
2N6131  
40  
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
V
60  
80  
40  
VCEO  
Collector-emitter voltage  
Open base  
V
60  
80  
VEBO  
IC  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open collector  
5
V
A
7
3
IB  
Base current  
A
PT  
Tj  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
50  
W
150  
-65~150  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
Thermal resistance from junction to case  
MAX  
UNIT  
Rth j-c  
2.5  
/W  
JMnic  

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