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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 换向电压的临界上升率-最小值： | 2 V/us |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 20 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 50 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V | 最大维持电流： | 75 mA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 最大漏电流： | 2 mA |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电压： | 1.8 V | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 15 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 子类别： | TRIACs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | TRIAC | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6147 | MOTOROLA |
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SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N6147 | NJSEMI |
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TRIACS SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N6151 | ETC |
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TRIAC|200V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
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| 2N6152 | ETC |
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TRIAC|400V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
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| 2N6153 | ETC |
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TRIAC|600V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
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| 2N6154 | ETC |
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TRIAC|200V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
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| 2N6155 | ETC |
获取价格 |
TRIAC|400V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
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| 2N6156 | ETC |
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TRIAC|600V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127VAR |
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| 2N6157 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Bidirectional Triode Thyristors |
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| 2N6157 | NJSEMI |
获取价格 |
TRIACS SILICON BIDERECTIONAL TRIODE THYRISTORS |
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