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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6145 | NJSEMI |
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TRIACS SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N6145 | MOTOROLA |
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SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N6146 | MOTOROLA |
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SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N6146 | NJSEMI |
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TRIACS SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N6147 | MOTOROLA |
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SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N6147 | NJSEMI |
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TRIACS SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N6151 | ETC |
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TRIAC|200V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
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| 2N6152 | ETC |
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TRIAC|400V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
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| 2N6153 | ETC |
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TRIAC|600V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
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| 2N6154 | ETC |
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TRIAC|200V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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