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| 2N6162 | MOTOROLA |
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Silicon Bidirectional Triode Thyristors |
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| 2N6162 | NJSEMI |
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SEMICONDUCTOR DEVICE |
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| 2N6163 | MOTOROLA |
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Silicon Bidirectional Triode Thyristors |
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| 2N6163 | NJSEMI |
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SEMICONDUCTOR DEVICE |
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| 2N6164 | MOTOROLA |
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Silicon Bidirectional Triode Thyristors |
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| 2N6164 | NJSEMI |
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SEMICONDUCTOR DEVICE |
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| 2N6165 | MOTOROLA |
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Silicon Bidirectional Triode Thyristors |
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| 2N6165 | NJSEMI |
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REPETITIVE PEAK OFF-STATE VOLTAGE |
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| 2N6165A | NJSEMI |
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| 2N6166 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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