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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.25 |
| 外壳连接： | MAIN TERMINAL 2 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 60 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2 V |
| 最大维持电流： | 80 mA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| 最大漏电流： | 2 mA | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大通态电压： | 2 V |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 30 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 子类别： | TRIACs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | TRIAC |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6162 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Bidirectional Triode Thyristors |
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| 2N6162 | NJSEMI |
获取价格 |
SEMICONDUCTOR DEVICE |
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| 2N6163 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Bidirectional Triode Thyristors |
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| 2N6163 | NJSEMI |
获取价格 |
SEMICONDUCTOR DEVICE |
|
| 2N6164 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Bidirectional Triode Thyristors |
|
| 2N6164 | NJSEMI |
获取价格 |
SEMICONDUCTOR DEVICE |
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| 2N6165 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Bidirectional Triode Thyristors |
|
| 2N6165 | NJSEMI |
获取价格 |
REPETITIVE PEAK OFF-STATE VOLTAGE |
|
| 2N6165A | NJSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2N6166 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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