生命周期: | Obsolete | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.75 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 60 mA |
最大直流栅极触发电压: | 2 V | 最大维持电流: | 80 mA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D3 | 最大漏电流: | 2 mA |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最大通态电压: | 2 V | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 30 A |
重复峰值关态漏电流最大值: | 10 µA | 断态重复峰值电压: | 600 V |
子类别: | TRIACs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
触发设备类型: | TRIAC | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6165A | NJSEMI |
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暂无描述 | |
2N6166 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | |
2N6167 | NJSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER | |
2N6168 | NJSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER | |
2N6169 | NJSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER | |
2N6170 | NJSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER | |
2N6171 | NJSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS | |
2N6171 | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) | |
2N6172 | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) | |
2N6172 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) =200V TO 299.9V |