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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6133LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2N6134 | NJSEMI |
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50 WATT PNP SILICON POWER |
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| 2N6134 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6134 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6134 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6134 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6134LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2N6137 | NJSEMI |
获取价格 |
MILITARY, PLANAR, TO-18, HERMETIC |
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| 2N6138-1 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR |
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| 2N6145 | NJSEMI |
获取价格 |
TRIACS SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS |
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