2N6134

更新时间： 2024-11-01 05:56:27

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	119K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6134 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

2N6134 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6132 2N6133 2N6134

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High power dissipation

·Complement to NPN type :

2N6129 2N6130 2N6131

APPLICATIONS

·Power amplifier and medium speed

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-40

UNIT

2N6132

2N6133

2N6134

2N6132

2N6133

2N6134

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

-60

-80

-40

V_CEO

Collector-emitter voltage

-60

-80

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

-7

I_B

Base current

-3

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

2.5

℃/W

12 3

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