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2N6057

更新时间： 2024-01-14 05:08:34

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COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	219K
描述
POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

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2N6057 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2N6057 数据手册

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I_C=6 A, I_B=24 mA

2.0

Collector-Emitter saturation

Voltage (*)

V_CE(SAT)

I_C=12 A, I_B=120 mA

I_C=6 A, V_CE=3 V

3.0

Base-Emitter Saturation

Voltage (*)

V_BE(SAT)

V_BE(ON)

f_T

Base-Emitter Voltage (*)

Transition Frequency

2.8

I_C=5 A, V_CE=3 V, f=1 MHz

MHz

18000

V_CE=3 V, I_C=6.0 A

750

100

DC Current Gain (*)

h_FE

V_CE=3.0 V, I_C=12 A

! ! ! For PNP types current and voltage values are negative ! ! !

(*) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle ∠ 2.0%

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