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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 16 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6031 | MICROSEMI |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
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| BD243C | MOTOROLA |
功能相似 |
Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6030PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| 2N6031 | NJSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORSS PNP SILICON |
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| 2N6031 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N6031 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6031 | CENTRAL |
获取价格 |
PNP SILICON POWER TRANSISTOR 140 VOLTS, 200 WATTS |
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| 2N6031 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6031 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
|
| 2N6031E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6031G | ONSEMI |
获取价格 |
高电压大功率晶体管 |
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| 2N6031PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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