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2N6031

更新时间： 2024-02-03 01:38:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	40K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6031 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	TO-3	包装说明：	CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1 MHz	Base Number Matches：	1

2N6031 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6031

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2N5631

·High collector sustaining voltage

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For high power audio amplifier and

high voltage switching regulator

circuits applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-140

-7

UNIT

Open base

Open collector

-16

I_CM

Collector current-peak

Base current

-20

I_B

-5.0

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

℃

T_j

150

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.875

℃/W

12 3

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