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2N6031

更新时间： 2024-11-25 07:28:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 312K
描述
PNP SILICON POWER TRANSISTOR 140 VOLTS, 200 WATTS

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2N6031 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.18外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：16 A基于收集器的最大容量：1000 pF
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：4JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1 MHz
VCEsat-Max：2 VBase Number Matches：1

2N6031 数据手册

 浏览型号2N6031的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
2N6031  
Semiconductor Corp.  
PNP SILICON  
POWER TRANSISTOR  
140 VOLTS, 200 WATTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6031 is  
a 16 Ampere PNP Silicon Power Transistor  
designed for use in high power amplifiers and  
high voltage switching regulator circuits.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-3 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
C
V
V
V
140  
140  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
7.0  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
16  
A
C
I
20  
A
CM  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
5.0  
A
B
P
200  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +200  
0.875  
°C  
°C/W  
J
Θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
=140V  
=140V, V  
=140V, V  
=70V  
2.0  
mA  
CBO  
CEX  
CEX  
CEO  
EBO  
CB  
CE  
CE  
CE  
EB  
=1.5V  
=1.5V  
2.0  
7.0  
2.0  
5.0  
mA  
mA  
mA  
mA  
V
EB(off)  
EB(off)  
, T =150  
°C  
C
=7.0V  
BV  
I =200mA  
140  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
V
V
V
V
I =10A, I =1.0A  
1.0  
2.0  
1.8  
1.5  
60  
V
C
B
I =16A, I =4.0A  
V
C
B
I =10A, I =1.0A  
V
C
B
V
=2.0V, I =8.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
C
h
h
V
V
V
V
V
=2.0V, I =8.0A  
15  
4.0  
1.0  
C
=2.0V, I =16A  
FE  
C
f
=20V, I =1.0A, f=500kHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=100kHz  
1000  
ob  
fe  
E
h
=10V, I =4.0A, f=1.0kHz  
15  
C
R0 (27-August 2009)  
12

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