5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | TO-3 | 包装说明： | CASE 1-07, TO-3, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 16 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6031E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6031G | ONSEMI |
获取价格 |
高电压大功率晶体管 |
|
| 2N6031PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N6032 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| 2N6032 | GE |
获取价格 |
HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6032 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6032E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6033 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6033 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH-CURRENT, HIGH-SPEED, HIGH-POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6033 | GE |
获取价格 |
HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS |
|
LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
