是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-204AA |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.13 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
基于收集器的最大容量: | 500 pF | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 4 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大上升时间(tr): | 700 ns | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 4 MHz | 最大关闭时间(toff): | 1800 ns |
VCEsat-Max: | 3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5877 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | |
2N5877 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2N5877 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2N5877 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,150W) | |
2N5877 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | |
2N5877 | ASI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 P | |
2N5877 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL | |
2N5877 | CENTRAL |
获取价格 |
60V,10A,150W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Swi | |
2N5877LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
2N5877T | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |