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2N5879

更新时间： 2024-01-10 03:32:56

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SAVANTIC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	113K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5879 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.75	最大集电极电流 (IC)：	15 A
基于收集器的最大容量：	600 pF	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
最大降落时间（tf）：	800 ns	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
最大上升时间（tr）：	700 ns	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	VCEsat-Max：	4 V
Base Number Matches：	1

2N5879 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N5879 2N5880

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2N5881 2N5882

APPLICATIONS

·For general-purpose power amplifier

and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

2N5879

2N5880

2N5879

2N5880

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

ꢀ

-15

Collector current-peak

Base current

-30

-5

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

160

150

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.1

ꢀ/W

12 3

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与2N5879相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5879LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2N588	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-30	获取价格
2N5880	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N5880	NJSEMI	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
2N5880	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N5880	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格