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2N5877

更新时间： 2024-11-18 07:28:59

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描述
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

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2N5877 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N5877 数据手册

2N5877

Dimensions in mm (inches).

Bipolar NPN Device in a

Hermetically sealed TO3

Metal Package.

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

Bipolar NPN Device.

V_CEO= 60V

(case)

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

I_C= 10A

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

All Semelab hermetically sealed products

can be processed in accordance with the

requirements of BS, CECC and JAN,

JANTX, JANTXV and JANS specifications.

TO3 (TO204AA)

PINOUTS

1 – Base

2 – Emitter

Case - Collector

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

V_CEO*

I_C(CONT)

h_FE

@ 4/4 (V_CE/ I_C)

100

f_t

P_D

150

* Maximum Working Voltage

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Generated

31-Jul-02

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5877LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2N5877T	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve
2N5878	NJSEMI	获取价格	SI NPN POWER BJT
2N5878	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(10A,150W)
2N5878	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N5878	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N5878	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
2N5878	ASI	获取价格	Transistor
2N5878	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
2N5878	CENTRAL	获取价格	80V,10A,150W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Swi