2N5869

更新时间： 2024-01-04 12:57:48

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	119K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5869 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N5869 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5869 2N5870

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

2N5869

2N5870

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=0.1A ;I_B=0

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

I_C=5A;I_B=1A

1.0

1.5

1.0

I_C=5A; I_B=1A

V_CB=ratedV_CBO; I_B=0

V_CE=30V; I_B=0

2N5869

I_CEO

Collector cut-off current

2.0

2N5870

V_CE=40V; I_B=0

I_EBO

h_FE

f_T

Emitter cut-off current

DC current gain

V_EB=5V; I_C=0

1.0

I_C=1.5A ; V_CE=4V

I_C=0.5A ; V_CE=10V;f=1MHz

100

Trainsistion frequency

MHz

123

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