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2N5822

更新时间: 2024-11-08 22:35:51
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MICRO-ELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 143K
描述
COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS

2N5822 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.35Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):140 MHz
Base Number Matches:1

2N5822 数据手册

 浏览型号2N5822的Datasheet PDF文件第2页 

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