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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | TO-92-18F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.65 |
| 基于收集器的最大容量： | 4 pF | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5830-18R | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R, |
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| 2N5830-18RLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R, |
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| 2N5830-5T | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5T, |
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| 2N5830-5T1 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5T1, |
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| 2N5830APM | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N5830APMLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N5830APP | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N5830APPLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N5830D26Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2N5830D27Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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