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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5830/D26Z | TI |
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200mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N5830_01 | FAIRCHILD |
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NPN General Purpose Amplifier |
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| 2N5830-18FLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F, |
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| 2N5830-18R | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R, |
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| 2N5830-18RLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R, |
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| 2N5830-5T | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5T, |
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| 2N5830-5T1 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5T1, |
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| 2N5830APM | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N5830APMLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N5830APP | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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