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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N5820LEADFREE
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2N5820LEADFREE

更新时间： 2024-11-07 13:04:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92-18R, 3 PIN

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2N5820LEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92-18R
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.35
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.75 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2N5820LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N5820LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
2N5820 2N5822 NPN  
2N5821 2N5823 PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 series  
types are epoxy molded complementary silicon  
small signal transistors manufactured by the  
epitaxial planar process designed for general  
purpose amplifier applications where a high  
collector current rating is required.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
TO-92-18R CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
70  
70  
V
CBO  
V
V
CES  
V
60  
V
CEO  
EBO  
V
5.0  
750  
1.0  
625  
1.5  
V
I
mA  
A
C
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
I
CM  
P
D
mW  
W
Power Dissipation (T =25°C)  
C
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
J
-65 to +150  
°C  
stg  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
200  
Θ
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
2N5820  
2N5821  
2N5822  
2N5823  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
V
V
=25V  
100  
100  
nA  
CBO  
CB  
CB  
EB  
I
=25V, T =100°C  
A
=5.0V  
15  
10  
15  
µA  
µA  
V
CBO  
I
10  
EBO  
BV  
I =10µA  
70  
60  
70  
60  
CES  
C
BV  
I =10mA  
C
V
CEO  
BV  
I =10µA  
5.0  
5.0  
V
EBO  
E
V
I =500mA, I =50mA  
0.75  
1.2  
0.75  
1.2  
V
CE(SAT)  
C
B
V
I =500mA, I =50mA  
V
BE(SAT)  
C
B
V
V
=2.0V, I =500mA  
0.60  
60  
1.1  
0.60  
100  
25  
1.1  
V
BE(ON)  
CE  
CE  
CE  
C
h
V
V
=2.0V, I =2.0mA  
C
120  
250  
FE  
h
=2.0V, I =500mA  
20  
FE  
C
R1 (21-October 2005)  
12

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