2N5550RLRM

更新时间： 2024-02-27 21:39:48

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	75K
描述
600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN

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2N5550RLRM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	6 pF	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

2N5550RLRM 数据手册

2N5550, 2N5551

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

= 1.0 mA

10 mA

100 mA

30 mA

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

I , BASE CURRENT (mA)

Figure 2. Collector Saturation Region

= 30 V

T = 125°C

−1

= I

CES

−2

75°C

REVERSE

25°C

−3

FORWARD

−4

−5

0.4 0.3 0.2 0.1

0.1 0.2

0.3 0.4 0.5 0.6

, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 3. Collector Cut−Off Region

1.0

2.5

2.0

T = 25°C

T = −55°C to +135°C

1.5

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

0.5

@ I /I = 10

C B

BE(sat)

for V

CE(sat)

−0.5

−1.0

−1.5

−2.0

−2.5

for V

BE(sat)

@ I /I = 10

C B

CE(sat)

0.1 0.2 0.3 0.5

1.0 2.0 3.0 5.0

10 20 30 50 100

0.1

0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0

10 20 30 50 100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 4. “On” Voltages

Figure 5. Temperature Coefficients

http://onsemi.com

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