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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | 极性/信道类型： | PNP |
| 子类别： | Other Transistors | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5539 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 130V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
|
| 2N5539E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N554 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 16V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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| 2N5540 | ETC |
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COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
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| 2N5540E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N5541 | ASI |
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暂无描述 |
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| 2N5541E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 130V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, |
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| 2N5542 | ETC |
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COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
|
| 2N5542E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
|
| 2N5545 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET, |
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