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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.11 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-59 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-X3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 58 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5002_02 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
|
| 2N5002_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5003 | SEMICOA |
获取价格 |
Type 2N5003 Geometry 9702 Polarity PNP |
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| 2N5003 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH-FREQUENCY POWER TRANSISTORS |
|
| 2N5003 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, 4 |
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| 2N5003 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
0.3A, 50V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| 2N5003_02 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
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| 2N5003DW | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
50V, Dual N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| 2N5003L | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
3.3A, 50V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
|
| 2N5003M | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
0.3A, 50V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
|
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