Datasheet > 2N5005

2N5005

更新时间： 2024-09-30 22:12:19

品牌	Logo	应用领域
SEMICOA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	155K
描述
Type 2N5005 Geometry 9702 Polarity PNP

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5005 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-59
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.15
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-59	JESD-30 代码：	O-MUPM-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
Base Number Matches：	1

2N5005 数据手册

Data Sheet No. 2N5005

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N5005

Type 2N5005

Geometry 9702

Polarity PNP

Qual Level: JAN - JANTXV

REF: MIL-PRF-19500/512

Features:

Silicon power transistor for use in

high speed power switching appli-

cations.

Housed in a TO-59 case.

Also available in chip form using

the 9702 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/512 which

Semicoa meets in all cases.

TO-59

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

100

5.5

Collector Current, Continuous

Collector Current, P_W< 8.3 ms, < 1% duty cycle

I_C

Reverse Pulse Energy

Power Disipation T_A= 25^oC ambient

Derate above 25^oC

Watt

mW/^oC

Watt

P_T

11.4

Power Disipation T_C= 25^oC ambient

Derate above 25^oC

mW/^oC

331

^oC

T_J

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-55 to +200

^oC

T_STG

12 3

中文翻译

下载PDF

与2N5005相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5005_02	SEMICOA	获取价格	Silicon PNP Transistor
2N5005E3	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3
2N5006	SSDI	获取价格	10 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS
2N5007	SSDI	获取价格	10 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
2N5007E3	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin,
2N5008	SSDI	获取价格	10 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS
2N5008	DIGITRON	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,10A I(C),STR-1/4
2N5009	SSDI	获取价格	10 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
2N5009	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin,
2N5009E3	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin,