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| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.67 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-59 | JESD-30 代码： | O-MUPM-X3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5006 | SSDI |
获取价格 |
10 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N5007 | SSDI |
获取价格 |
10 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR |
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| 2N5007E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5008 | SSDI |
获取价格 |
10 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N5008 | DIGITRON |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,10A I(C),STR-1/4 |
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| 2N5009 | SSDI |
获取价格 |
10 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR |
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| 2N5009 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5009E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5010 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5010 | DIGITRON |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,500V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5 |
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