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2N5010

更新时间： 2024-01-15 19:15:14

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SEME-LAB		晶体晶体管
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1页	17K
描述
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

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2N5010 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.46	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	500 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N5010 数据手册

2N5010

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

SILICON EPITAXIAL

NPN TRANSISTOR

8.51 (0.34)

9.40 (0.37)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

0.89

(0.035)

max.

12.70

(0.500)

min.

FEATURES

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

General purpose power transistor for

switching and linear applications in a

hermetic TO–39 package.

5.08 (0.200)

typ.

2.54

(0.100)

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

45°

TO–39 (TO-205AD) PACKAGE

PIN 1 – Emitter

PIN 2 – Base

PIN 3 – Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

500V

Collector – Base Voltage

CBO

CER

EBO

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Reverse Voltage

Continuous Collector Current

Total Device Dissipation

R = 10Ω

0.5A

T = 25°C

TOT

200°C

50°C/W

T T

Maximum Storage and Junction Temperature Range

Thermal Impedance Junction To Case

J, STG

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise stated)

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max. Unit

Collector Base Leakage Current

D.C Current Gain

= 500V

= 10V

—

0.006

180

CBO

I =0.025A

Transition Frequency

MHz

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to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

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Document Number 3696

Issue 1

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Website: http://www.semelab.co.uk

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