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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-39 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.72 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 900 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 7 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5014_01 | SEME-LAB | SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| 2N501439 | SSDI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| 2N501439S | SSDI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| 2N501439TXV | SSDI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| 2N50145 | SSDI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, |
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| 2N50145S | SSDI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, |
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