2N5015

更新时间： 2024-01-26 03:07:15

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SSDI		晶体小信号双极晶体管
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2页	74K
描述
0.5 AMP 800 - 1000 Volts NPN Transistor

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2N5015 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz

2N5015 数据手册

2N5013 thru 2N5015

Solid State Devices, Inc.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

0.5 AMP

DESIGNER’S DATA SHEET

800 – 1000 Volts

NPN Transistor

FEATURES:

• BVCER and BVCEO to 1000 volts

• Low Saturation Voltage

• Low Leakage at High Temperature

• High Gain, Low Saturation

• 200° C Operating, Gold Eutectic Die Attach

• 2N5010 thru 2N5012 Also Available, Contact Factory

• TX, TXV, and S-Level Screening Available

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

2N5013

2N5014

2N5015

800

900

1000

Collector – Emitter Voltage (RBE = 1KΩ)

V_CER

2N5013

2N5014

2N5015

800

900

1000

Collector – Base Voltage

V_CBO

Emitter – Base Voltage

Peak Collector Current

Peak Base Current

V_EBO

I_C

0.5

I_B

Total Device Dissipation @ TC = 100º C

2.0

mW/ºC

P_D

Derate above 100º C

-65 to +200

ºC

Operating and Storage Temperature

Thermal Resistance, Junction to Case

Tj, Tstg

R_θJC

ºC/W

CASE OUTLINE: TO-5

PIN 1: EMITTER

PIN 2: BASE

PIN 3: COLLECTOR

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: TR0043A

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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