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2N5014S

更新时间： 2024-02-17 03:11:35

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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2N5014S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	900 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5014S 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/727

DEVICES

LEVELS

2N5010

2N5011

2N5012

2N5013

2N5014

2N5015

2N5010S

2N5011S

2N5012S

2N5013S

2N5014S

2N5015S

JAN

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

500

600

700

800

900

1000

500

600

700

800

900

1000

Unit

Vdc

mAdc

Collector-Emitter Voltage

2N5010

2N5011

2N5012

2N5013

2N5014

2N5015

2N5010

2N5011

2N5012

2N5013

2N5014

2N5015

V_CER

TO-5

2N5010 thru 2N5015

Collector-Base Voltage

V_CBO

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

V_EBO

I_C

200

I_B

Total Power Dissipation

@ T_A= +25°C

@ T_C= +25° C

P_t

1.0

7.0

TO-39

2N5010S thru 2N5015S

Thermal Resistance, Junction to Case

°C/W

°C

R_θJC

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_j, T_stg

-65 to +200

Note:

1/ See 19500/727 for Thermal Derating Curves.

T4-LDS-0067 Rev. 1 (082021)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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