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| 类别： | Diodes | 配置： | Single |
| Channel Polarity： | N | ESD： | Y |
| Max PD(W)： | 0.25 | Min PD(W)： | 50 |
| Max VGS (V)： | ±20 | Max ID(A)： | 1.3 |
| Max IGSS(uA)： | ±10 | Max VGS(th) (V)： | 1 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Typ： | 1200 | RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Max： | 1500 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 4.5V Typ： | 1500 | RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 4.5V Max： | 2500 |
| AEC Qualified： | No | 最高工作温度： | 150 |
| 最低工作温度： | -55 | MSL等级： | 1 |
| 生命周期： | Active | 是否无铅： | Yes |
| 符合Reach： | Yes | 符合RoHS： | Yes |
| ECCN代码： | EAR99 | Package Outlines： | SOT-323 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5003_02 | SEMICOA | Silicon PNP Transistor |
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| 2N5003DW | Galaxy Microelectronics | 50V, Dual N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| 2N5003L | Galaxy Microelectronics | 3.3A, 50V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| 2N5003M | Galaxy Microelectronics | 0.3A, 50V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| 2N5003T | Galaxy Microelectronics | 2.3A, 50V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| 2N5003V | Galaxy Microelectronics | 50V, Dual N Channel, Small Signal MOSFETs |
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