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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-59 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5005_02 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
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| 2N5005E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N5006 | SSDI |
获取价格 |
10 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N5007 | SSDI |
获取价格 |
10 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR |
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| 2N5007E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5008 | SSDI |
获取价格 |
10 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N5008 | DIGITRON |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,10A I(C),STR-1/4 |
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| 2N5009 | SSDI |
获取价格 |
10 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR |
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| 2N5009 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5009E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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