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2N4339

更新时间: 2024-11-30 03:56:11
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INTERFET 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 89K
描述
N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES

2N4339 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.05外壳连接:GATE
配置:SINGLE最大漏源导通电阻:1700 Ω
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):3 pF
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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