2N4240

更新时间： 2024-11-06 22:45:03

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管高压
页数	文件大小	规格书
3页	78K
描述
5 Amp, 500V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors

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2N4240 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2N4240 数据手册

7516 Central Industrial Drive

Riviera Beach, Florida

33404

PHONE: (561) 842-0305

FAX: (561) 845-7813

2N4240

APPLICATIONS:

Off-Line Inverters

Switching Regulators

Motor Controls

Deflection Circuits

DC-DC Converters

High Voltage Amplifiers

5 Amp, 500V,

High Voltage

NPN Silicon Power

Transistors

FEATURES:

High Voltage: 250 to 500V

High Current: 2 Amps

Low V_{CE (SAT)}

Fast Switching: t_f< 3msec.

High Power: 35 Watts

DESCRIPTION:

These power transistors are produced by PPC's DOUBLE

DIFFUSED PLANAR process. This technology produces high

voltage devices with excellent switching speeds, frequency

response, gain linearity, saturation voltages, high current gain,

and safe operating areas. They are intended for use in

Commercial, Industrial, and Military power switching, amplifier,

and regulator applications.

Ultrasonically bonded leads and controlled die mount

techniques are utilized to further increase the SOA capability

and inherent reliability of these devices. The temperature

range to 200°C permits reliable operation in high ambients, and

the hermetically sealed package insures maximum reliability

and long life.

TO-66

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS:

SYMBOL

CHARACTERISTIC

VALUE

UNITS

Volts

Amps

°C

V_CBO

Collector-Base Voltage

500

300

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Collector-Emitter Voltage R_BE= 50W

Emitter-Base Voltage

V_CER

400

V_EBO

I_C*

Peak Collector Current

I_C*

Continuous Collector Current

Base Current

I_B*

T_STG

T_J*

Storage Temperature

Operating Junction Temperature

Lead Temperature 1/16" from Case for 10 Sec.

-65 to 200

235

°C

P_T*

Power Dissipation

T_C= 25°C

5.0

Watts

°C/W

q JC

Thermal Impedance

* Indicates JEDEC registered data.

MSC1058.PDF 05-19-99

12 3

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2N4240 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JAN2N6211	MICROSEMI	类似代替	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6211	MICROSEMI	功能相似	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4242	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	Transistor,
2N4242	ASI	获取价格	Transistor
2N4243	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 55V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
2N4244	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
2N4245	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
2N4246	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 55V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
2N4247	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
2N4248	CENTRAL	获取价格	Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications
2N4248	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 40V
2N4249	CENTRAL	获取价格	Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications

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