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2N4248

更新时间: 2024-02-10 23:30:53
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CENTRAL 晶体放大器晶体管
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1页 67K
描述
Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications

2N4248 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BCY包装说明:TO-106, 4 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.54
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-106
JESD-30 代码:O-PBCY-W4JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N4248 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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