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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.24 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏源导通电阻： | 50 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N4092UB | MICROSEMI |
类似代替  |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4092UBE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU |
|
| 2N4093 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431 |
|
| 2N4093 | INTERSIL |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
|
| 2N4093 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
|
| 2N4093A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans JFET N-CH 40V 8mA 3-Pin TO-18 |
|
| 2N4093UBE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU |
|
| 2N-40F | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
|
| 2N40G-TA3-T | UTC |
获取价格 |
2 Amps, 400 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 2N40K-TA | UTC |
获取价格 |
N-CH |
|
| 2N40L-TA3-T | UTC |
获取价格 |
2A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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