生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.72 | 其他特性: | N-M, I/P POWER-MAX(PEAK)=250W |
标称衰减: | 40 dB | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COAXIAL | 最大输入功率 (CW): | 33.01 dBm |
JESD-609代码: | e4 | 最大工作频率: | 2500 MHz |
最小工作频率: | 最高工作温度: | 125 °C | |
最低工作温度: | -65 °C | 射频/微波设备类型: | FIXED ATTENUATOR |
端子面层: | GOLD | 最大电压驻波比: | 1.15 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N40-V | UTC |
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N-CH | |
2N410 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15MA I(C) | TO-1 | |
2N4100 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET | |
2N4100 | NJSEMI |
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DUAL MONOLITHIC MATCHED NPN SILICON | |
2N4101 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 | |
2N4101 | GE |
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5-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS | |
2N4102 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 | |
2N4103 | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 16AMPS 220 THRU 800 VOLTS JEDEC TO-3 CASE | |
2N4103 | VISHAY |
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12.5A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS | |
2N4103LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 800V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-3, HERM |