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2N3764

更新时间： 2024-09-16 22:49:23

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SEMICOA		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	51K
描述
Type 2N3764 Geometry 6706 Polarity PNP

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2N3764 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	35
JEDEC-95代码：	TO-46	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
最大关闭时间（toff）：	115 ns	最大开启时间（吨）：	43 ns
Base Number Matches：	1

2N3764 数据手册

Data Sheet No. 2N3764

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

Type 2N3764

Geometry 6706

Polarity PNP

Qual Level: JAN - JANTXV

REF: MIL-PRF-19500/396

Features:

General-purpose transistor for

switching and amplifier applica-

tons.

Housed in a TO-46 case.

Also available in chip form using

the 6706 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/396 which

Semicoa meets in all cases.

TO-46

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

5.0

1.5

^oC

T_J

-55 to +200

^oC

T_STG

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与2N3764相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3764E3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206A
2N3765	NJSEMI	获取价格	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
2N3765	SEMICOA	获取价格	Type 2N3765 Geometry 6706 Polarity PNP
2N3765	MICROSEMI	获取价格	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
2N3765	TTELEC	获取价格	Bipolar Junction Transistor
2N3766	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N3766	CENTRAL	获取价格	Power Transistors
2N3766	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66
2N3766	NJSEMI	获取价格	SI NPN POWER BJT
2N3766SMD	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed