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2N3771

更新时间： 2024-01-01 03:00:40

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2N3771 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	0.2 MHz
VCEsat-Max：	4 V	Base Number Matches：	1

2N3771 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2N3771

DESCRIPTION

·Excellent Safe Operating Area

·High DC Current Gain-h_FE=15(Min)@I_C= 15A

·Low Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 2.0V(Max)@ I_C= 15A

APPLICATIONS

·Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and

inductive switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_CM

I_B

7.5

I_BM

P_C

Collector Power Dissipation @T_C=25℃

Junction Temperature

150

200

-65~200

℃

T_J

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.17

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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