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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-46 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.21 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-46 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3766 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3766 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| 2N3766 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 |
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| 2N3766 | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN POWER BJT |
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| 2N3766SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3766SMD05 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| 2N3767 | NJSEMI |
获取价格 |
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3767 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N3767 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
|
| 2N3767 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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