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2N3743

更新时间： 2024-02-26 07:14:57

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管高压
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3页	64K
描述
PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR

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2N3743 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.25
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2N3743 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 397

Devices

Qualified Level

JAN, JANTX

JANTXV

2N3743

2N4930

2N4931

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Sym 2N3743 2N4930 2N4931 Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

300

200

5.0

250

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

300

250

Vdc

200

mAdc

Total Power Dissipation

@T_A= +25⁰C ¹

@T_C= +25⁰C ²

1.0

5.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

TO-39*

stg

(TO-205AD)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance Junction-to-Case

qJC

1) Derate linearly 5.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 28.6 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 1.0 mAdc

300

200

250

2N3743

2N4930

2N4931

Vdc

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300

200

250

I_C= 100 mAdc

2N3743

2N4930

2N4931

Vdc

V_(BR)

CBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 100 mAdc

5.0

V_(BR)

EBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 250 Vdc

V_CB= 150 Vdc

250

2N3743

2N4930

2N4931

I_CBO

hAdc

V_CB= 200 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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