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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-111 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-X3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3745 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-10 |
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| 2N3745E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| 2N3746 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-10 |
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| 2N3746E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| 2N3747 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-10 |
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| 2N3747E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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