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2N3747

更新时间： 2024-02-17 18:45:18

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	227K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| STR-10

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2N3747 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

2N3747 数据手册

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3747E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3	获取价格
2N3748	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| STR-10	获取价格
2N3748E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3	获取价格
2N3749	MICROSEMI	PNP POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N375	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-3	获取价格
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