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2N3763L

更新时间： 2024-01-20 08:03:18

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2页	50K
描述
Type 2N3763L Geometry 6706 Polarity PNP

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2N3763L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1 W	最大功率耗散 (Abs)：	4 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	115 ns
最大开启时间（吨）：	11.5 ns	VCEsat-Max：	0.9 V
Base Number Matches：	1

2N3763L 数据手册

Data Sheet No. 2N3763L

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N3763L

Type 2N3763L

Geometry 6706

Polarity PNP

Qual Level: JAN - JANTXV

REF: MIL-PRF-19500/396

Features:

General-purpose transistor for

switching and amplifier applica-

tons.

Housed in a TO-5 case.

Also available in chip form using

the 6706 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/396 which

Semicoa meets in all cases.

TO-5

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

5.0

1.5

^oC

T_J

-55 to +200

^oC

T_STG

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与2N3763L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3763LE3	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, T	获取价格
2N3763LEADFREE	CENTRAL	暂无描述	获取价格
2N3764	SEMICOA	Type 2N3764 Geometry 6706 Polarity PNP	获取价格
2N3764	MICROSEMI	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N3764	CENTRAL	Small Signal Transistors	获取价格
2N3764	NJSEMI	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081	获取价格