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2N3763L

更新时间： 2024-01-09 03:52:43
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SEMICOA /
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
Type 2N3763L Geometry 6706 Polarity PNP

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2N3763L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.67最大集电极电流 (IC)：1.5 A
基于收集器的最大容量：15 pF集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：1 W最大功率耗散 (Abs)：4 W
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：115 ns
最大开启时间（吨）：11.5 nsVCEsat-Max：0.9 V
Base Number Matches：1

2N3763L 数据手册

 浏览型号2N3763L的Datasheet PDF文件第1页 
Data Sheet No. 2N3763L  
Electrical Characteristics  
TC = 25oC unless otherwise specified  
OFF Characteristics  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = 10 µA  
V(BR)CBO  
60  
---  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10 mA  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICEX1  
60  
5.0  
---  
---  
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
IE = 10 µA  
---  
V
Collector-Emitter Cutoff Current  
VEB = 2.0 V, VCE = 30 V  
100  
150  
100  
200  
nA  
µA  
nA  
nA  
Collector-Emitter Cutoff Current  
ICEX2  
VEB = 2.0 V, VCE = 30 V, TA = 150oC  
---  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 30 V  
ICBO  
---  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 2.0 V  
IEBO  
---  
ON Characteristics  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Forward current Transfer Ratio  
IC = 10 mA, VCE = 1.0 V  
hFE1  
hFE2  
hFE3  
hFE4  
hFE5  
hFE6  
35  
40  
40  
30  
30  
20  
---  
---  
140  
120  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
IC = 150 mA, VCE = 1.0 V (pulse test)  
IC = 500 mA, VCE = 1.0 V (pulse test)  
IC = 1.0 A, VCE = 1.5 V (pulse test)  
IC = 1.5 A, VCE = 5.0 V (pulse test)  
IC = 500 mA, VCE = 1.0 V (pulsed), TA = -55oC  
---  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
IC = 10 mA, IB = 1 mA (pulse test)  
IC = 150 mA, IC = 15 mA (pulse test)  
IC = 500 mA, IB = 50 mA (pulse test)  
IC = 1.0 A, IC = 100 mA (pulse test)  
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VCE(sat)3  
VCE(sat)4  
---  
---  
---  
---  
0.1  
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
0.22  
0.50  
0.90  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = 10 mA, IB = 1 mA  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
VBE(sat)3  
VBE(sat)4  
---  
---  
---  
---  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
IC = 150 mA, IB = 15 mA (pulse test)  
IC = 500 mA, IB = 50 mA (pulse test)  
IC = 1.0 A, IB = 100 mA (pulse test)  
Small Signal Characteristics  
Magnitude of Common Emitter Short Circuit  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
|hFE|  
1.5  
6.0  
---  
Forward Current Transfer Ratio  
IC = 50 mA, VCE = 10 V, f = 100 MHz  
Open Circuit Output Capacitance  
COBO  
CIBO  
---  
---  
25  
80  
pF  
pF  
VCB = 10 V, IE = 0, 100 kHz < f < 1 MHz  
Input Capacitance, Output Open Circuited  
VEB = 0.5 V, IC = 0, 100 kHz < f < 1 MHz  
Switching Characteristics  
Per Figure 1, MIL-S-19500/396D  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
td  
tr  
---  
---  
---  
---  
8
ns  
ns  
ns  
ns  
Pulse Delay Time  
Pulse Rise Time  
Pulse Storage Time  
Pulse Fall Time  
35  
80  
35  
ts  
tf  
12

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