是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.31 |
集电极-发射极最大电压: | 40 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JEDEC-95代码: | TO-39 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 180 MHz |
最大关闭时间(toff): | 115 ns | 最大开启时间(吨): | 45 ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N3764E3 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206A | |
2N3765 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 | |
2N3765 | SEMICOA |
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Type 2N3765 Geometry 6706 Polarity PNP | |
2N3765 | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | |
2N3765 | TTELEC |
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Bipolar Junction Transistor | |
2N3766 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N3766 | CENTRAL |
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Power Transistors | |
2N3766 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 | |
2N3766 | NJSEMI |
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SI NPN POWER BJT | |
2N3766SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |