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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3722 | NJSEMI |
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NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT SWIRCHES |
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| 2N3722 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
|
| 2N3722LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
|
| 2N3723 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| 2N3724 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3724 | CENTRAL |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3724 | NJSEMI |
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HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL |
|
| 2N3724A | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 30V 3-Pin TO-39 |
|
| 2N3724A | RAYTHEON |
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Transistor, |
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| 2N3724A | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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