是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.32 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 25 |
JEDEC-95代码: | TO-205AD | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 300 MHz |
最大关闭时间(toff): | 60 ns | 最大开启时间(吨): | 35 ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N3725/TR | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, | |
2N3725A | NJSEMI |
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EPITAXIAL PLANAR NPN | |
2N3725A | CENTRAL |
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Small Signal Transistors | |
2N3725AS | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 50V 3-Pin TO-39 | |
2N3726 | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches | |
2N3726 | CENTRAL |
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PNP DUAL SILICON TRANSISTOR | |
2N3726 | NJSEMI |
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SI PNP LO-PWR BJT | |
2N3726LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78 | |
2N3726PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, | |
2N3727 | CENTRAL |
获取价格 |
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR |