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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3726LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78 |
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| 2N3726PBFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2N3727 | CENTRAL |
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PNP DUAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3727 | NJSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS |
|
| 2N3727 | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
|
| 2N3727LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78, |
|
| 2N3727PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| 2N3728 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH PERFORMANCE DIFFERENTIAL AMPLIFIERS |
|
| 2N3729 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 30V V(BR)CEO | TO-77 |
|
| 2N3730 | RAYTHEON |
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Transistor, |
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