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2N3735LE3

更新时间： 2024-01-21 05:34:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 178K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

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2N3735LE3 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-5JESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：60 ns
最大开启时间（吨）：48 nsBase Number Matches：1

2N3735LE3 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/395  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
2N3735  
2N3737  
2N3735L  
2N3737UB  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Min.  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
75  
5
TO-5*  
1.5  
2N3735L  
2N3735, 2N3735L  
2N3737  
2N3737UB  
1.0 (1)  
0.5 (3)  
0.5 (5)  
W
W
W
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C  
PT  
2N3735, 2N3735L  
2N3737  
2N3737UB  
2.9 (2)  
1.9 (4)  
N/A  
W
W
W
Total Power Dissipation  
@ TC = +25°C  
PT  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
°C  
* Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding  
devices.  
(1) Derate linearly at 5.71 mW/°C above TA = +25°C  
(2) Derate linearly at 16.6 mW/°C above TA = +25°C  
(3) Derate linearly at 2.86 mW/°C above TA = +25°C  
(4) Derate linearly at 11.3 mW/°C above TA = +25°C  
(5) Derate linearly at 3.07 mW/°C above TA = +25°C  
TO-39* (TO-205AD)  
2N3735  
(6) TA = +55°C for UB on printed circuit board (PCB). PCB = FR4 .0625 inch (1.59MM) 1  
– layer 1 oz Cu, horizontal, still air, pads (UB) = .034 inch (0.86 mm) x .048 inch (1.2  
mm), RθJA with a defined thermal resistance condition included is measured at PT =  
500mW.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
3 PIN  
2N3737UB  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
V(BR)CEO  
40  
Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
10  
250  
μAdc  
ηAdc  
V
V
CB = 75Vdc  
CB = 30Vd  
ICBO  
TO-46 (TO-206AB)  
2N3737  
T4-LDS-0173 Rev. 1 (101069)  
Page 1 of 5  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3735LEADFREE CENTRAL

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2N3736 CENTRAL

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 		Type 2N3737 Geometry TBD Polarity NPN
2N3737 MOTOROLA

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2N3737 CENTRAL

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2N3737 NJSEMI

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2N3737 MICROSEMI

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2N3737_02 SEMICOA

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2N3737E3 MICROSEMI

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